Pekka
Laukkanen
yliopistotutkija, materiaalitutkimuksen laboratorio
dosentti, fysiikan ja tähtitieteen laitos
Ota yhteyttä
Asiantuntijuusalueet
pintatiede
puolijohde
pinnan passivointi
ohutkalvot
Julkaisut
Effects of post oxidation of SiO2/Si interfaces in ultrahigh vacuum below 450 °C (2022)
Vacuum
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Controlling the fixed negative charge formation in Si/high-k interfaces (2022)
Physical Review Materials
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
The structural origin of the efficient photochromism in natural minerals (2022)
Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Reusable radiochromic hackmanite with gamma exposure memory (2022)
Materials Horizons
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Effects of thermal vacuum nitridation of Si(100) surface via NH3 exposure (2022)
Thin Solid Films
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Observation of Si 2p Core‐Level Shift in Si/High‐κ Dielectric Interfaces Containing a Negative Charge (2021)
Advanced Electronic Materials
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Black silicon boron emitter solar cells with EQE above 95% in UV (2021)
IEEE Photovoltaic Specialists Conference, Conference Record IEEE Photovoltaic Specialists Conference
(Vertaisarvioitu artikkeli konferenssijulkaisussa (A4))
Stabilization of unstable and metastable InP native oxide thin films by interface effects (2021)
Applied Surface Science
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Passivation of III-V surfaces with crystalline oxidation (2021)
Applied Physics Reviews
(Vertaisarvioitu katsausartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A2))
Atomic and electronic structures of Si/Ge(100) interfaces studied by high-resolution photoelectron spectroscopy and scanning tunneling microscopy (2021)
Physical Review B
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))