Pekka
Laukkanen
dosentti, fysiikan ja tähtitieteen laitos
yliopistotutkija, materiaalitutkimuksen laboratorio
Ota yhteyttä
Asiantuntijuusalueet
pintatiede
puolijohde
pinnan passivointi
ohutkalvot
Julkaisut
Emission studies of InGaN layers and LEDs grown by plasma-assisted MBE (2001)
Journal of Crystal Growth
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Low threshold current 1.32 um GaInNAs / GaAs single quantum well lasers grown by molecular beam epitaxy (2001)
Applied Physics Letters
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Growth of gallium nitride films by molecular beam epitaxy (2000)
(Pro gradu, diplomityö, ylempi amk-opinnäytetyö (G2))Plasma-assisted MBE growth of GaN on HVPE-GaN substrates (1999)
physica status solidi (c)
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))