Pekka
Laukkanen
yliopistotutkija, materiaalitutkimuksen laboratorio
dosentti, fysiikan ja tähtitieteen laitos
Ota yhteyttä
Asiantuntijuusalueet
pintatiede
puolijohde
pinnan passivointi
ohutkalvot
Julkaisut
Investigation of the surface topography and double layer characteristics of variously pre-treated antimony single crystal electrodes (2003)
Surface Science
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Initial stages of Yb/Si(100) interface growth: 2x3 and 2x6 reconstructions (2003)
Applied Surface Science
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
An effect of vicinal surface morphology on adsorbate structure: Yb growth on [112]-tilt Si(111) (2002)
Surface Science
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
1.32 um GaInNAs / GaAs laser with a low threshold current density (2002)
IEEE Photonics Technology Letters
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Structural, electrical, and optical properties of defects in Si-doped GaN grown by molecular-beam epitaxy on hydride vapor phase epitaxy GaN on sapphire (2002)
Journal of Applied Physics
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
A new heterogeneously catalytic pathway for isomerization of linoleic acid over Ru/C and Ni/H-MCM-41 catalysts (2002)
Journal of Catalysis
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Enhanced optical and structural properties of strain-compensated 1.3 um GaInNAs / GaNAs / GaAs quantum well laser structures (2002)
Journal of Crystal Growth
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Low threshold current 1.32 um GaInNAs / GaAs single quantum well lasers grown by molecular beam epitaxy (2001)
Applied Physics Letters
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Emission studies of InGaN layers and LEDs grown by plasma-assisted MBE (2001)
Journal of Crystal Growth
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))