Alejandro Schulman

Area-Dependent Resistive Switching and Interfacial Dynamics in GCMO-Based Memristors (2025)

ACS applied electronic materials

Antola, Anni; Laaksonen, Johanna; Huhtinen, Hannu; Angervo, Ilari; Granroth, Sari; Schulman, Alejandro; Laukkanen, Pekka; Paturi, Petriina

(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä )

Importance of growth method and substrate-induced crystalline quality in Al/Gd0.2Ca0.8MnO3/Au memristor devices (2024)

Journal of Physics D: Applied Physics

Angervo, I; Antola, A; Vaimala, T; Malmi, A; Schulman, A; Huhtinen, H; Paturi, P

(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä )

The effect of substrate-induced defects on structural and resistive switching properties in Gd0.2Ca0.8MnO3 thin films (2024)

AIP Advances

Angervo Ilari, Antola Anni, Schulman Alejandro, Huhtinen Hannu, Paturi Petriina

(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä )

Bioplausible Synaptic Behavior of Al/Gd0.3Ca0.7MnO3/Au Memristive Devices for Unsupervised Spiking Neural Networks (2024)

ACS applied electronic materials

Hynnä Teemu, Schulman Alejandro, Lähteenlahti Ville, Huhtinen Hannu, Paturi Petriina

(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä )

Structurally simplified GCMO crossbar design for artificial synaptic networks (2024)

Applied Physics Letters

Antola, Anni; Angervo, Ilari; Huhtinen, Hannu; Miettinen, Mikko; Schulman, Alejandro; Paturi, Petriina

(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä )

Bipolar Resistive Switching in 2D MoSe2 Grown by Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition (2023)

ACS Applied Materials and Interfaces

Fernandes João, Grzonka Justyna, Araujo Guilherme, Schulman Alejandro, Silva Vitor, Rodrigues João, Santos João, Bondarchuk Oleksandr, Ferreira Paulo, Alpuim Pedro, Capasso Andrea

(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä )

Increased Curie temperature and magnetoresistive response by modifying Fe/Mo ratio in Sr2FeMoO6 thin films (2022)

Journal of Magnetism and Magnetic Materials

Naushahi Naman A, Angervo Ilari, Saloaro Minnamari, Schulman Alejandro, Huhtinen Hannu, Paturi Petriina

(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))

Manipulating magnetic and magnetoresistive properties by oxygen vacancy complexes in GCMO thin films (2022)

Journal of Physics: Condensed Matter

Beiranvand Azar, Liedke Maciej Oskar, Haalisto Christopher, Lähteenlahti Ville, Schulman Alejandro, Granroth Sari, Palonen Heikki, Butterling Maik, Wagner Andreas, Huhtinen Hannu, Paturi Petriina

(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))

Compact Modeling and SPICE Simulation of GCMO-Based Resistive Switching Devices (2022)

IEEE Transactions on Nanotechnology

Miranda Enrique, Lähteenlahti Ville, Huhtinen Hannu, Schulman Alejandro, Paturi Petriina

(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))

Electron Doping Effect in the Resistive Switching Properties of Al/Gd 1- x Ca x MnO 3/Au Memristor Devices (2021)

ACS Applied Materials and Interfaces

Lähteenlahti Ville, Schulman Alejandro, Beiranvand Azar, Huhtinen Hannu, Paturi Petriina

(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))

Alejandro

Schulman

Contact

Links

Publications

Sort by:

Area-Dependent Resistive Switching and Interfacial Dynamics in GCMO-Based Memristors (2025)

Importance of growth method and substrate-induced crystalline quality in Al/Gd0.2Ca0.8MnO3/Au memristor devices (2024)

The effect of substrate-induced defects on structural and resistive switching properties in Gd0.2Ca0.8MnO3 thin films (2024)

Bioplausible Synaptic Behavior of Al/Gd0.3Ca0.7MnO3/Au Memristive Devices for Unsupervised Spiking Neural Networks (2024)

Structurally simplified GCMO crossbar design for artificial synaptic networks (2024)

Bipolar Resistive Switching in 2D MoSe2 Grown by Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition (2023)

Increased Curie temperature and magnetoresistive response by modifying Fe/Mo ratio in Sr2FeMoO6 thin films (2022)

Manipulating magnetic and magnetoresistive properties by oxygen vacancy complexes in GCMO thin films (2022)

Compact Modeling and SPICE Simulation of GCMO-Based Resistive Switching Devices (2022)

Electron Doping Effect in the Resistive Switching Properties of Al/Gd 1- x Ca x MnO 3/Au Memristor Devices (2021)