
Zahra
Jahanshah Rad
Project Researcher, Materials Research Laboratory
MSc
Contact
Links
Areas of expertise
PhD candidate at the Material Research Laboratory
Publications
Properties and modification of native oxides of InP(100) (2023)
Journal of Physics D: Applied Physics
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Controlling the fixed negative charge formation in Si/high-k interfaces (2022)
Physical Review Materials
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Effects of post oxidation of SiO2/Si interfaces in ultrahigh vacuum below 450 °C (2022)
Vacuum
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Effects of thermal vacuum nitridation of Si(100) surface via NH3 exposure (2022)
Thin Solid Films
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Atomic-Scale Modification of Oxidation Phenomena on the Ge(100) Surface by Si Alloying (2021)
ACS Materials Au
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Atomic and electronic structures of Si/Ge(100) interfaces studied by high-resolution photoelectron spectroscopy and scanning tunneling microscopy (2021)
Physical Review B
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Observation of Si 2p Core‐Level Shift in Si/High‐κ Dielectric Interfaces Containing a Negative Charge (2021)
Advanced Electronic Materials
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Stabilization of unstable and metastable InP native oxide thin films by interface effects (2021)
Applied Surface Science
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Black silicon boron emitter solar cells with EQE above 95% in UV (2021)
IEEE Photovoltaic Specialists Conference, Conference Record IEEE Photovoltaic Specialists Conference
(Vertaisarvioitu artikkeli konferenssijulkaisussa (A4))
Decreasing Interface Defect Densities via Silicon Oxide Passivation at Temperatures Below 450 degrees C (2020)
ACS Applied Materials and Interfaces
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))