Pekka
Laukkanen
yliopistotutkija, materiaalitutkimuksen laboratorio
dosentti, fysiikan ja tähtitieteen laitos
Ota yhteyttä
Asiantuntijuusalueet
pintatiede
puolijohde
pinnan passivointi
ohutkalvot
Julkaisut
Ruthenium-modified MCM-41 mesoporous molecular sieve and Y zeolite catalysts for selective hydrogenation of cinnamaldehyde (2003)
Applied Catalysis A: General
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Scanning tunneling microscopy study of GaAs(100) surface prepared by HCl-isopropanol treatment (2003)
Applied Surface Science
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Structural, electrical, and optical properties of defects in Si-doped GaN grown by molecular-beam epitaxy on hydride vapor phase epitaxy GaN on sapphire (2002)
Journal of Applied Physics
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
A new heterogeneously catalytic pathway for isomerization of linoleic acid over Ru/C and Ni/H-MCM-41 catalysts (2002)
Journal of Catalysis
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Enhanced optical and structural properties of strain-compensated 1.3 um GaInNAs / GaNAs / GaAs quantum well laser structures (2002)
Journal of Crystal Growth
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
An effect of vicinal surface morphology on adsorbate structure: Yb growth on [112]-tilt Si(111) (2002)
Surface Science
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
1.32 um GaInNAs / GaAs laser with a low threshold current density (2002)
IEEE Photonics Technology Letters
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Emission studies of InGaN layers and LEDs grown by plasma-assisted MBE (2001)
Journal of Crystal Growth
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Low threshold current 1.32 um GaInNAs / GaAs single quantum well lasers grown by molecular beam epitaxy (2001)
Applied Physics Letters
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))