Pekka
Laukkanen
yliopistotutkija, materiaalitutkimuksen laboratorio
dosentti, fysiikan ja tähtitieteen laitos
Ota yhteyttä
Asiantuntijuusalueet
pintatiede
puolijohde
pinnan passivointi
ohutkalvot
Julkaisut
Properties of the SiO2- and SiNx- capped GaAs(100) surfaces of GaInAsN/GaAs quantum-well heterostructures studied by photoelectron spectroscopy and photoluminescence (2011)
Applied Physics Letters
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Properties of self-assembled Bi nanolines on InAs(100) studied by core-level and valence-band photoemission, and first-principles calculations (2011)
Physical Review B
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Dimer-T3 reconstruction of the Sm/Si(100)(2x3) surface studied by high-resolution photoelectron spectroscopy and density functional theory calculations (2011)
Physical Review B
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Ultrathin (1x2)-Sn layer on GaAs(100) and InAs(100) substrates: A catalyst for removal of amorphous surface oxides (2011)
Applied Physics Letters
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Surface core-level shifts on Ge(111)c(2x8): Experiment and theory (2011)
Physical Review B
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Oxidized In-containing III-V(100) surfaces: Formation of crystalline oxide films and semiconductor-oxide interfaces (2011)
Physical Review B
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Effects of (NH4)2S and NH4OH surface treatments prior to SiO2 capping on 1.3: GaInAsN/GaAs quantum well structures (2010)
Applied Physics Letters
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Stability, structural, and electronic properties of atomic chains on Yb/Ge(111)3X2 studied by STM and STS (2010)
Physical Review B
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Bismuth-stabilized c(2x6) reconstruction on a InSb(100) substrate: Violation of the electron counting model (2010)
Physical Review B
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Atomic structure of Yb/Si(100)(2x6): Interrelation between the silicon dimer arrangement and Si 2p photoemission line shape (2010)
Physical Review B
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))